Иттриевый ванадат легированный неодимом Nd:YVO4 – это отличный исходный материал для твердотельных лазеров с диодной накачкой. Компактные лазеры на кристаллах иттриевого ванадата легированного неодимом генерируют свет в зеленом, красном и синем диапазоне. Это идеальный выбор для обработки материалов. Неодимовый лазер с диодной накачкой на иттриевом ванадате имеет следующие преимущества: широкая полоса поглощения, низкий порог генерации, высокая дифференциальная эффективность, крупное поперечное сечение люминесценции, линейно-поляризованное излучение и одномодовое выходное излучение.
Преимущества
1. Низкий порог генерации и высокая дифференциальная эффективность
2. Низкая зависимость от длины волны накачки и тенденция к одномодовому излучению
3. Большое поперечное сечение вынужденной эмиссии на длинах волны генерации
4. Высокое поглощение на широкой полосе длин волны накачки
5. Оптически одноосный лазерный кристалл с большим двулучепреломлением и высокой поляризацией излучения
Спецификация
Концентрация примесей | 0.1% ~ 3% |
Ориентация | A-CUT +/-0.5° |
Размеры и допуски | Ш (+/-0.1) × В (+/-0.1) × Д (+0.5/-0.1) мм |
Качество поверхности | 10/5 |
Перпендикулярность | ≤5′ |
Параллелизм | ≤10″ |
Скос | <0.2 мм × 45° |
Плоскостность | λ/10 @ 633 нм |
Стружка | <0.1 мм |
TWD | λ/6 @ 633 нм |
CA | ≥95% |
Покрытия | C1--- AR@1064 (R<0.2%) C2--- AR@1064 (R<0.2%) и 532 (R<0.5%) C3--- AR@1064 (R<0.2%) и 808 (R<0.5%) C4---AR@1064 (R<0.2%) и 532 (R<0.5%) и 808 (R<3%) C5--- HR@1064 (R>99.8%) и HT@808(T>95%) C6---HR@1064 (R>99.8%) и 532(R>99.5%) и HT @ 808 (T>95%) |
Порог повреждения | 700 МВт/ см ² 10 нс 1 Гц ( 1064 нм) |
Свойства иттриевого ванадата легированного неодимом Nd:YVO4
Пространственная группа | D4h-I4/amd |
Постоянная решетки | a=b=7.12Å, c=6.29Å |
Плотность | 4.22г/см3 |
Твердость по Мосу | Стеклообразный, 4~5 |
Коэффициент теплового расширения | α a=4.43x10-6/K, α c=11.37x10-6/K |
Коэффициент теплопроводности | | |c: 5.23 Вт/(м·К); 丄c: 5.10 Вт/(м·К) |
Длина волны лазера | 914нм, 1064 нм, 1342 нм |
Термооптический коэффициент | dno/dT=8.5x10-6/K, dne/dT=3.0x10-6/K |
Поперечное сечение вынужденной эмиссии | 25.0x10-19см2 на1064 нм |
Время жизни флуоресценции | 90 мкс на 808 нм |
Коэффициент поглощения | 31.4 см-1 на 808 нм |
Длина поглощения | 0.32 мм на 808 нм |
Ширина полосы усиления | 0.96 нм (257 ГГц) на 1064 нм |
π-поляризация оптической силы диодной накачки; | > 60% |